作者：深圳市英能電氣有限公司
時(shí)間：2023-01-05
高功率脈沖磁控濺射技術(shù)的特點(diǎn)是采用高功率電源和非平衡磁控濺射靶。可以提高非常高的等離子體密度和離化率。
高功率電源有很高的峰值功率，高達(dá)每平方厘米1000W-3000W，是普通磁控濺射的100倍。等離子體密度高達(dá)每立方米1018數(shù)量級(jí)，濺射清洗速度快濺射材料的離化率極高，采用銅靶時(shí)可達(dá)70%的離化率，和電弧離子鍍的技術(shù)離化率相當(dāng)了，大大提高了金屬離化率。對(duì)比直流磁控濺射和高功率濺射的離化率，在通入氬氣的時(shí)候采用鈦靶，采用直流濺射鈦的離化率10%，采用高功率濺射的鈦的離化率是46%。直流磁控濺射是以氬氣電離為主，高功率磁控濺射是以金屬鈦電離為主。
現(xiàn)在簡(jiǎn)單介紹下高功率濺射沉積氮化鉻的工藝過(guò)程，首先抽真空，到本底真空度后，通入氬氣至1Pa，開(kāi)啟高功率復(fù)合脈沖磁控濺射電源。高壓輝光清洗之后沉積鉻的過(guò)渡層，最后沉積氮化鉻的薄膜，靶基距14cm，復(fù)合直流0.2A，通入的氮?dú)夂蜌鍤獾牧康谋仁?/span>6:10，制備氮化鉻的所需的沉積時(shí)間是60min,膜層可以達(dá)到1.4.最后關(guān)閉所有電源，工件真空條件下冷卻30分鐘。
高功率得到的膜層組織是更加細(xì)膩致密的，高功率的作用使得等離子體中高份額的高能離子中在沉積薄膜時(shí)的作用，高度離子化的束流不含有大顆粒，金屬離化率很高，膜層組織致密膜層組織質(zhì)量好，具有優(yōu)異的性能，膜基結(jié)合率高，沉積溫度低，可以在聚四氟乙烯上鍍膜。
英能公司，一家專注磁控濺射電源研發(fā)，不斷開(kāi)發(fā)出滿足市場(chǎng)需求的電源，期待您的咨詢與合作，聯(lián)系電話18025476062.
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