作者：深圳市英能電氣有限公司
時間：2024-07-17
磁控濺射原理可以歸納為以下幾個關(guān)鍵步驟和要點：
電場與磁場作用：
磁控濺射在靶陰極表面引入磁場，形成一個正交電磁場。
當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后，并不直接飛向陽極，而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運動。
電子與氣體分子的碰撞：
高能電子不斷與氣體分子(如氬氣)發(fā)生碰撞，并向后者轉(zhuǎn)移能量，使之電離。
碰撞產(chǎn)生Ar正離子和新的電子，新電子繼續(xù)參與上述過程，而Ar離子則在電場作用下加速飛向陰極靶。
靶材濺射：
Ar離子以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。
在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜。
二次電子的運動：
產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移，簡稱E×B漂移。
在環(huán)形磁場中，電子以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑很長，被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)。
電離與沉積：
在上述區(qū)域內(nèi)，電子電離出大量的Ar來轟擊靶材，實現(xiàn)了高的沉積速率。
隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場E的作用下最終沉積在基片上。
基片溫度：
由于二次電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低，體現(xiàn)了磁控濺射“低溫”的特點。
靶源類型：
磁控濺射的靶源分為平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強。
磁控濺射通過以上原理實現(xiàn)了高速、低溫、低損傷的濺射過程，成為物理氣相沉積(PVD)領(lǐng)域中的一項重要技術(shù)。
深圳市英能電氣有限公司是一家集真空鍍膜電源/PVD鍍膜電源的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售為一體的高科技企業(yè)，主要產(chǎn)品：中頻磁控濺射電源、單極性脈沖偏壓電源/雙極性脈沖偏壓、直流偏壓電源、直流磁控濺射電源、單極性脈沖磁控濺射電源，陽極電源、離子源電源、弧電源、高功率脈沖磁控濺射電源，HIPIMS電源等。已獲高新技術(shù)企業(yè)、iso9001認(rèn)證，擁有專利多份。產(chǎn)品已獲得ce、rohs認(rèn)證。專注提供真空鍍膜電源及工業(yè)控制領(lǐng)域的解決方案。咨詢熱線：137-1700-7958
